在全球半导体产业的激烈 “战场” 上，芯片宛如最关键的 “弹药”，其制造核心 —— 光刻机技术，一直把控着产业的生死命脉。就在 1 月 4 日早上 8 点前，一则石破天惊的消息从我国科研前沿阵地传来：哈尔滨工业大学成功突破 “放电等离子体极紫外光刻光源” 技术，稳定产出 13.5nm 极紫外光源，正式宣告为 EUV 光刻机点亮希望之光，这无疑是向长期笼罩的技术 “阴霾” 投出的一记 “重磅炸弹”。
一直以来，全球光刻机市场近乎是荷兰 ASML 公司的 “独角戏”，其凭借精湛到近乎 “苛刻” 的技术，牢牢攥紧高端光刻机的供应大权。多个方面数据显示，ASML 在 EUV 光刻机市场占有率超 80%，让其他几个国家望尘莫及。我国芯片制造企业深陷困境，不仅要为进口光刻机支付动辄上亿美元的高昂费用，还时常遭遇技术封锁、供货延迟等 “刁难”，每一步都举步维艰。而在这艰难时刻，哈工大科研团队挺身而出，他们犹如在科技 “无人区” 里的无畏行者，日夜不辍、潜心钻研。历经无数次失败的捶打，硬是凭着一股不服输的劲头，突破层层技术难关，找到了开启极紫外光源稳定产出的 “密码”。
这一突破的含金量究竟有多高？深入技术层面，“放电等离子体极紫外光刻光源” 技术原理恰似在微观世界里精心搭建一座 “光的堡垒”，科研人员通过精准操控等离子体放电，驯服那些极其 “顽皮” 的光子，让它们乖乖汇聚成高能量、高精度的 13.5nm 极紫外光束，精准地为芯片光刻 “服务”。这其中攻克的关键难点，每一个都足以让人望而却步，像如何在超高真空环境下稳定等离子体放电，团队就反复试验了数千次，才找到最佳参数组合。
对国内芯片产业而言，这场 “及时雨” 来的恰到好处。此前，由于缺乏自主高端光刻机技术，芯片制造不仅成本居高不下，就连芯片的性能、良品率也深受影响。如今，有了自主的极紫外光源，芯片制造企业成本削减有望超三分之一。以一家中型芯片制造企业为例，以往每年光是进口光刻机的设备采购、维护和技术授权费，就高达数亿元，如今若逐步实现国产化替代，这笔费用将大幅度降低，节省下来的资金可投入到芯片研发创新中，推动芯片性能提升，有望将芯片良品率从现有的 70% 提高到 80% 以上，大大加速芯片国产化进程。
与此同时，国内科研力量正在汇聚成磅礴之势。高校领域，华中科技大学在光刻胶研发技术上屡获突破，与哈工大的极紫外光源技术紧密配合，就像齿轮咬合般精准协同。在研发流程上，双方共享实验数据，针对光刻不同环节反复研讨优化方案；企业层面，中芯国际等芯片制造大厂主动搭建产业转化平台，为科研成果从实验室走向生产线 “铺路搭桥”，快速推动技术落地应用。
从国际视角俯瞰，哈工大这一突破如同引发了一场 “科技海啸”。原本坚如磐石的国际半导体竞争格局慢慢的出现裂痕。过去，全球高端芯片制造基本被几家国际巨头垄断，我国芯片产业只能在中低端 “挣扎”。如今，随着极紫外光源技术的突破，国际芯片巨头们如坐针毡，紧急召开内部战略会议，重新评估对中国市场的技术封锁策略。据国际半导体行业权威报告预测，未来 5 年内，中国在全球光刻机市场的份额有望从近乎为零攀升至 10%，彻底改写全球半导体产业版图。
但我们必须直面现实，前路绝非坦途。尽管已迈出关键一步，可在高精度制造工艺、配套设备完善等方面，我国光刻机产业仍面临诸多挑战。高精度制造工艺受制于国外长期技术封锁下的精密机械加工短板，像关键零部件加工精度比国际领先水平低 0.1 微米，这直接引发极紫外光源稳定量产的良品率还有待提升；光刻设备的关键零部件仍有部分依赖进口，根源在于我国相关基础材料研发起步晚、积累少。
要想破局，政府需加大对精密机械、基础材料研发的投入，设立专项人才教育培训计划，吸引海外高端精密制造、材料研发人才回国；企业要敢于在关键研发技术上持续投入，加强与高校、科研机构合作，优化内部创新机制；科研机构则应进一步深化产学研合作，共享资源，攻克关键技术难点。
1 月 4 日的这次突破，承载着无数科研人员的心血，是我们国家科技发展史上浓墨重彩的一笔。它为 EUV 光刻机撕开了黑暗的一角，让我们正真看到曙光。各位读者朋友，对于我国光刻机后续发展，你认为政府、企业、科研机构还应在哪几个方面重点发力？欢迎在评论区分享你的高见，一起为中国科技出谋划策，共同期待我国光刻机产业冲破阻碍，迈向辉煌明天。
哈尔滨工业大学于2025年1月4日宣布成功研发出“放电等离子体极紫外光刻光源”技术，可发出中心波长为13.5纳米的极紫外光。但目前这一技术成果还只是初步具备产业化条件，要实现国产EUV光刻机的量产，还要解决光源的功率提升、稳定性优化、与光刻机其他部件的集成匹配等一系列技术难题。
