）宣告成功研宣布中心波长到达13.5纳米的极紫外（EUV）光技能，这一历史性的成果为我国
光刻机，作为芯片制作的柱石设备，其技能水准直接关乎芯片的制作精度与功能体现。长久以来，极紫外光刻机技能一向被世界少量巨子所独占，成为了限制我国芯片工业兴起的要害瓶颈。而极紫外光技能，正是EUV光刻机的中心地点，把握这一技能无疑意味着在芯片制作的最顶级范畴抢占了战略高地。
哈工大科研团队凭仗深沉的科研沉淀与不懈的探究精力，总算霸占了极紫外光技能的难关。他们研宣布的中心波长为13.5纳米的极紫外光，正是完成7纳米及以下先进制程芯片制作不可或缺的要害光源。这一技能的打破，不只填补了国内涵该范畴的空白，更标志着我国在极紫外光技能讨论研讨范畴完成了质的腾跃。
关于我国芯片工业而言，这一打破的含义严重而深远。它为我国自主研制EUV光刻机奠定了坚实的根底，有望大幅度的进步我国芯片制作的自主可控才能，削减对国外设备的依靠，然后保证国家信息工业供应链的安全安稳。一起，这一成果也将激起更多国内科研力气投身于芯片中心技能的研制之中，推进整个芯片工业链的协同开展，加快我国芯片工业向世界领先水平跨进的脚步。
现在，哈工大科研团队正活跃携手国内相关企业和科研机构，加快推进极紫外光技能的工程化与工业化进程，力求将这一严重科研成果赶快转化为推进我国芯片工业高质量开展的强壮引擎，为完成我国芯片的自主可控与工业晋级贡献力气。
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